SiC激光退火设备

产品特点 1.整机模块化设计与集成，兼容4、6、8英寸薄片晶圆；
2.集成自研成熟先进激光整形技术，光斑能量高度均匀、稳定；
3.退火后表面均匀、平整，优秀的电学特性及表面形貌特征表现；
4.严格控制腔体含氧量，有效控制表面碳析出量和分布；
5.配置监控与补偿系统，监测光学能量稳定性和非退火面温度；
6.配备EFEM传输系统，整机符合SEMI标准，支持SECS-GEM通信。

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产品应用

适用于对重掺杂碳化硅（SiC）表面沉积的过渡金属进行退火，形成良好的欧姆接触。

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产品参数

可加工品圆尺寸	4inch、6inch、8inch
薄片退火	支持
光斑整形	平顶光
光斑均匀性	>95%
能量稳定性	≤1%
比电阻接触率	≤5×10^(-5)Ω.cm²
表面温度	Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
腔体含氧量	N2/Ar： 99.99%，<100ppm@25s
运动平台精度	直线度：±1μm 重复定位精度：±1μm
品圆传输	Automatic transferring (compatible to wafer or wafer/w carrier)

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